SI7309DN-T1-E3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI7309DN-T1-E3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.04 |
10+ | $0.929 |
100+ | $0.7245 |
500+ | $0.5985 |
1000+ | $0.4725 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 3.9A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 30 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A (Tc) |
Grundproduktnummer | SI7309 |
SI7309DN-T1-E3 Einzelheiten PDF [English] | SI7309DN-T1-E3 PDF - EN.pdf |
VISHAY QFN8
MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
VISHAY QFN-8
SI7320DN-T1-GE3 VISHAY
VISHAY QFN8
MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK
MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8
MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
MOSFET P-CH 150V 2.8A 1212-8
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI7309DN-T1-E3Vishay Siliconix |
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Zielpreis (USD)
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